Transistor Irfp064npbf Irfp064n Irfp064 Mosfet N-ch 55v 110a

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ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 110 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247AC

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