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Rjh60f7 Rjh-60f7 Rjh60f7 Rjh60f7dpq Igbt N 600v 90a Original

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Rjh 60f7 Rjh-60f7 Rjh60f7 Rjh60f7bdpq Igbt N 600 V 90 A Hobb

Producto: Transistor IGBT RJH60F7 Original

Especificaciones:
– Disipación total del dispositivo (Pc): 328.9
– Tensión colector-emisor (Vce): 600V
– Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.35
– Tensión emisor-compuerta (Veg): 30V
– Corriente del colector DC máxima (Ic): 90A
– Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
– Tiempo de elevación: 81
– Capacitancia de salida (Cc), pF: 198
– Encapsulado: TO-247-A

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– 1 Transistor IGBT RJH60F7 Original

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