Rjh30e2 Igbt N 360v 30a

Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH N 360 V 30 A

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El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

Conmutación de alta velocidad
Baja tensión de saturación del colector al emisor
Baja fuga
Diodo de recuperación rápida integrado
Información Básica
Polaridad: Canal N
Voltaje colector emisor VCES: 360 V
Voltaje compuerta emisor VGES: ± 30 V
Corriente continua Ic: 30 A
Disipación de potencia Pc: 20 W
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-220
3 pines
Sustituto
No Aplica
Documentación
No Aplica

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