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Transistor Igbt Ygw60n65f1 Ygw60n65 60n65 Nuevo, Original
$ 23.301
Descripción del YGW60N65F1
– Tipo: Transistor IGBT
– Voltaje Máximo: 650V
– Corriente Máxima: 60A
– Tecnología: Trench Field Stop
Características:
– Alto voltaje de ruptura hasta 650V
– Bajo VCEsat
– Conmutación de alta velocidad
– Alta robustez y estabilidad de temperatura
– Capacidad de conmutación en paralelo fácil
Aplicaciones:
– Fuentes de alimentación ininterrumpida
– Inversores
– Controladores de motor DC de alto voltaje
