Descripción del YGW60N65F1 – Tipo: Transistor IGBT – Voltaje Máximo: 650V – Corriente Máxima: 60A – Tecnología: Trench Field Stop
Características: – Alto voltaje de ruptura hasta 650V – Bajo VCEsat – Conmutación de alta velocidad – Alta robustez y estabilidad de temperatura – Capacidad de conmutación en paralelo fácil
Aplicaciones: – Fuentes de alimentación ininterrumpida – Inversores – Controladores de motor DC de alto voltaje