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Fqpf10n60c 10n60c Mosfet 600v 10a To220f
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Fabricante: ON Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600 V
Id – Corriente de drenaje continua: 9.5 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 730 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 30 V, + 30 V
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp – Disipación de potencia : 50 W
Modo canal: Enhancement
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 16.3 mm
Longitud: 10.67 mm
Serie: FQPF10N60C
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Ancho: 4.7 mm
Marca: Fairchild
Tiempo de caída: 77 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 69 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 144 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 23 ns
Alias de las piezas n.º: FQPF10N60C_NL
Peso de la unidad: 2.270 g
