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Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-252
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Id – Continuous Drain Current: 17 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 8 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement
Height: 15.65 mm
Length: 10 mm
Transistor Type: 1 N-Channel
Width: 4.4 mm
Brand: Infineon / IR
Fall Time: 65 ns
Pd – Power Dissipation: 200 W
Rise Time: 101 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Typical Turn-On Delay Time: 14 ns
Unit Weight: 6 g
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