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200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
Benefits:
RoHS Compliant
Industry-leading quality
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
QG (typ @10V) 70.0 nC
Qgd 33.0 nC
RDS (on) (@10V) max 82.0 m¿
RthJC max 0.75 K/W
Tj max 175.0 °C
VDS max 200.0 V
VGS(th) min max 4.25 V 3.0 V 5.5 V
VGS max 30.0 V
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