RJP30H2 RJP30H2A Panasonic Igbt Original A-263

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Silicon N Channel IGBT
High speed power switching
Features
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
* High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
* Low leak current: ICES = 1 ¿A max

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