AON6992 N Channel Dual QFN8

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Número de Parte: AON6992

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 21 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0052 Ohm

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