Transistor IRF1405 Mosfet TO220 CH N 55 V 169 A 330 W

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ransistor mosfet IRF1405 Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 °C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

175 ° C Temperatura de trabajo
Valor dinámico dV / dt
Totalmente avalancha
Automotriz calificado
Aplicaciones: Automoción
Información Básica
Polaridad del transistor: CH-N
Tensión drenado-fuente: 55 V
Corriente de drenaje continua: 169 A
Disipación de potencia: 330 W
Tensión umbral: 4 V
Tensión Vgs de prueba Rds(on): 10 V
Resistencia en estado conductor Rds(on): 0.0053 Ohms
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220
Número de pines: 3
Sustituto
No aplica

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