TRANSISTOR IGBT MBQ50T65FDSC – 650V 100A TO-247

ESPECIFICACIONES TECNICAS COMPLETAS

* Referencia: MBQ50T65FDSC / 50T65FDSC
* Tecnologia: IGBT N-Channel Field Stop Trench
* Voltaje Colector-Emisor: 650V
* Corriente Continua: 100A a 25 grados C / 50A a 100 grados C
* Voltaje Saturacion VCE: 1.95V tipico a 50A
* Voltaje Gate-Emisor: +/- 20V maximo
* Potencia Disipacion: 273W
* Rango Temperatura: -55 a +175 grados C
* Encapsulado: TO-247 metalico 3 pines
* Tiempo Conmutacion: 60ns subida / 80ns bajada
* Capacitancia Salida: 238pF
* Resistencia Termica: 0.4 grados C/W

APLICACIONES PROFESIONALES DE REPARACION

– Fuentes conmutadas industriales y comerciales
– Inversores de soldadura Lincoln, Miller, ESAB
– Equipos UPS de 3kVA a 10kVA
– Variadores de frecuencia VFD
– Rectificadores con correccion factor potencia
– Cocinas induccion comerciales
– Cargadores rapidos vehiculos electricos
– Inversores fotovoltaicos residenciales

VENTAJAS TECNICAS CLAVE

– Baja resistencia termica para maxima eficiencia
– Conmutacion rapida minimiza perdidas
– Area operacion segura amplia
– Compatible drivers estandar 15V
– Excelente comportamiento termico
– Montaje estandar M3 con torque 0.6Nm

DONDE OFRECE MAXIMO VALOR

Este componente es critico en reparacion de equipos industriales de alta potencia donde la confiabilidad es fundamental. Su tecnologia Field Stop permite operacion eficiente en aplicaciones switching de alta frecuencia.

Ideal para tecnicos especializados en electronica de potencia y estudiantes avanzados que desarrollan proyectos con requerimientos profesionales.