IRF9530 IRF9530N Mosfet N Channel 100V 12A To-22

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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Número de canales: 1 Channel
Polaridad del transistor: P-Channel
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id – Corriente de drenaje continua: 14 A
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 200 mOhms
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: 20 V
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp – Disipación de potencia : 79 W
Configuración: Single
Modo canal: Enhancement
Altura: 15.65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Ancho: 4.4 mm
Marca: Infineon / IR
Tiempo de caída: 46 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 58 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 45 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 6 g

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