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MOSFET IRFP250N – CANAL N DE POTENCIA
Componente Premium para Aplicaciones Críticas
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>> DESCRIPCION TECNICA AVANZADA <<
El IRFP250N constituye un transistor MOSFET de canal N de quinta generación,
desarrollado con tecnología HEXFET avanzada que establece nuevos estándares
en eficiencia energética y confiabilidad operacional[1][2]. Este semiconductor
de potencia integra procesos de fabricación de última generación, optimizados
para aplicaciones industriales donde la precisión y durabilidad son factores
determinantes[3][5].
Diseñado específicamente para técnicos especializados y profesionales de la
electrónica, este componente ofrece características de conmutación ultrarrápida
combinadas con capacidad de manejo térmico excepcional, posicionándolo como
la solución preferida en sistemas de alta exigencia[2][4].
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>> PARAMETROS TECNICOS FUNDAMENTALES <<
===== ESPECIFICACIONES DE POTENCIA =====
* Configuración: MOSFET Enhancement Mode Canal N
* Tensión Máxima Drenaje-Fuente (Vds): 200 Voltios
* Corriente Continua Drenaje (Id): 30 Amperios @ 25°C
* Corriente Pulsada Máxima (Idm): 120 Amperios
* Disipación Potencia Total (Pd): 214 Watts @ 25°C
* Resistencia Conducción (Rds on): 75 miliOhmios @ Vgs 10V
* Voltaje Compuerta-Fuente (Vgs): +/- 20 Voltios máximo
===== CARACTERISTICAS DINAMICAS =====
* Voltaje Umbral Compuerta (Vgs th): 4 Voltios máximo
* Carga Total Compuerta (Qg): 123 nanoCoulombs @ 10V
* Capacitancia Entrada (Ciss): 2159 picoFaradios @ 25V
* Capacitancia Salida (Coss): 315 picoFaradios
* Tiempo Ascenso (tr): 43 nanosegundos
* Tiempo Descenso (tf): 33 nanosegundos
* Tiempo Encendido (td on): 14 nanosegundos
* Tiempo Apagado (td off): 41 nanosegundos
===== ESPECIFICACIONES TERMICAS =====
* Rango Temperatura Operación: -55°C hasta +175°C
* Temperatura Juntura Máxima: 175°C
* Resistencia Térmica J-C: 0.583°C/Watt
* Encapsulado: TO-247AC (3 pines)
* Montaje: Through-Hole con disipación optimizada
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>> 15 APLICACIONES TECNICAS ESPECIALIZADAS <<
01. REGULADORES SWITCHING DE PRECISION
Topologías Buck/Boost para fuentes médicas y de laboratorio
con regulación sub-miliVoltio y ripple mínimo.
02. DRIVERS PARA MOTORES BRUSHLESS INDUSTRIALES
Control vectorial de motores síncronos hasta 5kW con
modulación PWM de alta frecuencia para máxima eficiencia.
03. INVERSORES FOTOVOLTAICOS GRID-TIE
Conversión DC-AC para sistemas solares residenciales con
seguimiento MPPT y sincronización de red automática.
04. RECTIFICADORES ACTIVOS SINCRONOS
Sustitución de diodos en fuentes de baja tensión/alta corriente
incrementando eficiencia hasta 97% en servidores.
05. CONTROLADORES LED DE POTENCIA CONSTANTE
Regulación precisa de corriente para arrays LED industriales
con compensación térmica y dimming lineal.
06. SOLDADORAS INVERTER DE ELECTRODO
Generación de arco estable con control de corriente dinámico
para soldadura TIG/MMA profesional hasta 200A.
07. AMPLIFICADORES CLASE D DE ALTA FIDELIDAD
Etapas de potencia en amplificadores de audio profesional
con THD inferior a 0.01% y respuesta plana 20Hz-20kHz.
08. CONVERTIDORES DC-DC AISLADOS MEDICOS
Fuentes con aislamiento reforzado para equipos médicos
cumpliendo normativas IEC 60601 de seguridad paciente.
09. CARGADORES RAPIDOS PARA VEHICULOS ELECTRICOS
Estaciones de carga Level 2 con control PFC activo
y factor de potencia superior a 0.99.
10. CALENTADORES POR INDUCCION INDUSTRIALES
Osciladores de potencia para tratamiento térmico de metales
con frecuencias de trabajo hasta 100kHz.
11. FUENTES UPS DE ALTA DISPONIBILIDAD
Inversores de respaldo con tiempo de transferencia sub-4ms
para centros de datos críticos y telecomunicaciones.
12. DRIVER PARA LAMPARAS DE DESCARGA HID
Balastos electrónicos para iluminación deportiva y vial
con encendido instantáneo y regulación automática.
13. VARIADORES DE FRECUENCIA TRIFASICOS
Control escalar y vectorial de motores industriales
con regeneración de energía y frenado dinámico.
14. SISTEMAS DE ELECTROPLATINADO PRECISION
Fuentes de corriente constante para galvanoplastia
con control digital y perfiles de corriente programables.
15. MODULADORES PARA TRANSMISORES RF
Amplificadores lineales en sistemas de comunicación
con modulación AM/FM de alta linearidad hasta 30MHz.
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>> PINOUT Y CONEXIONES CRITICAS <<
PIN 1 = GATE (Compuerta)
Terminal de control – Impedancia ultra-alta
Requiere 10V para Rds(on) mínima especificada
Compatible con drivers 3.3V/5V mediante pull-up
PIN 2 = DRAIN (Drenaje)
Terminal potencia principal – Conectado al TAB
Máxima disipación con disipador térmico adecuado
Aislamiento eléctrico requiere mica/pad cerámico
PIN 3 = SOURCE (Fuente)
Referencia común – Conexión Kelvin recomendada
Punto sensado para control realimentado de corriente
Minimizar inductancia parásita en conexiones
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>> VENTAJAS TECNICAS DIFERENCIALES <<
– ROBUSTEZ AVALANCHE: Certificación 100% probada garantiza supervivencia
ante sobretensiones transitorias en aplicaciones reales de campo.
– PARALELISMO DIRECTO: Coeficiente térmico positivo permite conexión
paralela sin resistencias de balance para escalabilidad de potencia.
– CONMUTACION OPTIMIZADA: Tiempos de switching balanceados minimizan
pérdidas dinámicas y EMI en aplicaciones de alta frecuencia.
– ESTABILIDAD TERMICA: SOA extendida permite operación sostenida en
condiciones límite sin degradación de parámetros eléctricos.
– COMPATIBILIDAD LEGACY: Footprint TO-247 estándar facilita retrofits
en diseños existentes sin modificaciones de layout PCB.
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CONSIDERACIONES DE DISEÑO CRITICAS:
* Disipador térmico obligatorio para potencias superiores a 50W continuos
* Gate drive recomendado: 10V para mínima Rds(on) y máxima eficiencia
* Snubber RC recomendado en aplicaciones inductivas para protección dv/dt
* Layout PCB: minimizar inductancias parásitas en source y gate
* Consideraciones EMC: filtrado adecuado en switching de alta frecuencia
El IRFP250N representa la convergencia entre rendimiento extremo y confiabilidad
industrial, estableciendo el benchmark para aplicaciones profesionales donde
el fallo no es una opción.
