Me15n10-g Me15n10g Me15n10 Me 15n10-g 15n10 15n10g To252

Me15n10-g Me15n10 15n10-g 15n10 Mosfet N 100v to-252

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El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El ME15N10 es un transistor de efecto de campo de lógica Canal N, utilizando alta densidad celular, zanja DMOS tecnología. Este proceso de alta densidad se adapta especialmente a minimizar la resistencia del estado. Estos dispositivos son particularmente adecuados Para aplicaciones de bajo voltaje, como teléfono celular, notebook. La gestión de energía de la computadora y otros circuitos alimentados por batería y pérdida baja de potencia en línea que se necesitan en un contorno muy pequeño de montaje en superficial.

Algunas aplicaciones son:
Gestión de energía en Notebook
Convertidor DC / DC
Interruptor de carga
Inversor de la pantalla LCD
Especificaciones
Polaridad: Canal N
Voltaje del drenado-fuente: 100 V
Voltaje puerta-fuente: 20 V
Drenado continuo: 14.7 A
Corriente (Tj = 150 ¿): 13.6 A
Corriente de drenado pulsada: 59 A
Disipación de potencia máxima (Tc = 25 ° C): 34.7 W
Disipación de potencia máxima (Tc = 70 ° C): 22.2 W
Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C
Encapsulado: TO-252
Número de pines: 3
Sustituto : No aplica

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