Rd07mvs1 Rd07mvs1 Rd07 Mosfet De Potencia De Silicio

## Introduccion al Producto
El RD07MVS1 es un transistor de potencia MOSFET de silicon, cumpliendo con la normativa RoHS, diseñado especificamente para aplicaciones de amplificadores de potencia RF en las bandas VHF/UHF. Este transistor destaca por su alta ganancia de potencia y eficiencia, siendo una solucion optima para la etapa de salida de amplificadores de alta potencia en equipos de radio movil en bandas VHF/UHF.

## Caracteristicas Principales
– Alta ganancia de potencia: Pout>7W, Gp>10dB a Vdd=7.2V y f=520MHz.
– Alta eficiencia: 60% tipica a 175MHz y 55% tipica a 520MHz.
– Diodo de proteccion de puerta integrado.
– Encapsulado: SO-8.
– Voltaje de Drenaje a Fuente (VDSS): 30V.
– Voltaje de Puerta a Fuente (VGSS): -5 a +10 V.
– Disipacion de Canal (Pch): 50W a Tc=25C.
– Corriente de Drenaje (ID): 3 A.
– Temperatura de Union (Tch): -150 C.
– Temperatura de Almacenamiento (Tstg): -40 a +125 C.
– Resistencia Termica, Union a Carcasa (Rth j-c): 2.5 C/W.

## Aplicaciones Potenciales
Para la etapa de salida de amplificadores de alta potencia en:
– Equipos de radio movil VHF/UHF.
– Amplificadores de potencia RF.
– Sistemas de comunicacion inalambrica.

## Caracteristicas Electricas y Maximos Absolutos
– Corriente maxima de drenaje sin voltaje en la puerta (IDSS): hasta 200 uA a VDS=17V y VGS=0V.
– Corriente de fuga de la puerta a fuente (IGSS): hasta 1 uA a VGS=10V y VDS=0V.
– Voltaje umbral de la puerta (VTH): 1.4 a 2.4 V.
– Potencia de salida (Pout) y Eficiencia de Drenaje (etaD): Hasta 8W con eficiencia de hasta 60% a 175MHz y 55% a 520MHz.

## Caracteristicas Tipicas (Curvas)
Las curvas caracteristicas tipicas incluyen:
– Vds vs. Crss: Muestra la capacitancia de transferencia inversa en funcion del voltaje de drenaje a fuente.
– Vds vs. Ciss: Ilustra la capacitancia de entrada en funcion del voltaje de drenaje a fuente.
– Vds vs. Coss: Demuestra la capacitancia de salida en funcion del voltaje de drenaje a fuente.
– Vds-Ids: Caracteristicas de voltaje de drenaje a fuente contra corriente de drenaje para diferentes voltajes de puerta.
– Vgs-Ids: Caracteristicas de voltaje de puerta a fuente contra corriente de drenaje, mostrando tambien la transconductancia.

## Conclusion
El RD07MVS1 se posiciona como una eleccion robusta y eficiente para diseñadores y desarrolladores que buscan maximizar la eficiencia y ganancia de potencia en aplicaciones de amplificacion de potencia RF en las bandas VHF y UHF, cumpliendo con los estandares ambientales actuales de RoHS.