Transistor D209l 13009 Mje13009 To 3p De Potencia Grande
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Silicon NPN Power Transistor D209L
DESCRIPTION
• High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 400V(Min)
• High Switching Speed
• High Reliability
APPLICATIONS
• Switching regulators
• Ultrasonic generators
• High frequency inverters
• General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25r)
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