Descripción del YGW60N65F1
– Tipo: Transistor IGBT
– Voltaje Máximo: 650V
– Corriente Máxima: 60A
– Tecnología: Trench Field Stop

Características:
– Alto voltaje de ruptura hasta 650V
– Bajo VCEsat
– Conmutación de alta velocidad
– Alta robustez y estabilidad de temperatura
– Capacidad de conmutación en paralelo fácil

Aplicaciones:
– Fuentes de alimentación ininterrumpida
– Inversores
– Controladores de motor DC de alto voltaje