*TRANSISTOR MOSFET 2SK3878 – POTENCIA INDUSTRIAL 900V 9A*

Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de alta exigencia donde la confiabilidad y eficiencia son fundamentales. Su robusta construcción TO-3P y especificaciones de grado industrial lo convierten en la elección preferida para reparadores profesionales y desarrolladores de proyectos críticos.

*ESPECIFICACIONES TÉCNICAS PRECISAS*

* Tipo: MOSFET Canal N (Enhancement Mode)
* Voltaje Drain-Source (VDSS): 900V
* Corriente Drain Continua (ID): 9A
* Corriente Drain Pulsada (IDP): 27A
* Voltaje Gate-Source (VGSS): ±30V
* Resistencia RDS(on): 1.0 ohmios (típico) / 1.3 ohmios (máximo)
* Potencia Máxima (PD): 150W
* Temperatura de Juntura: 150°C
* Voltaje Umbral Gate (Vth): 2.0 a 4.0V
* Package: TO-3P (SC65)

*CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN AVANZADAS*

* Tiempo de Subida: 25 nanosegundos
* Tiempo de Encendido: 65 nanosegundos
* Tiempo de Bajada: 20 nanosegundos
* Tiempo de Apagado: 120 nanosegundos
* Carga Total de Gate: 60 nC
* Capacitancia de Salida: 190 pF
* Transferencia Directa: 7.0 S (típico)

*APLICACIONES PROFESIONALES DE REPARACIÓN*

* Fuentes Switching de equipos industriales
* Reparación de UPS y sistemas de respaldo
* Convertidores DC-DC en equipos médicos
* Reguladores de conmutación en telecomunicaciones
* Drivers de motores en maquinaria industrial
* Sistemas de soldadura por inversión

*PROYECTOS PARA HOBISTAS Y ESTUDIANTES*

* Fuentes conmutadas de laboratorio
* Controladores de motores paso a paso
* Inversores solares experimentales
* Drivers para LED de alta potencia
* Convertidores boost/buck personalizados
* Proyectos de electrónica de potencia

*ESCENARIOS DE MÁXIMO VALOR*

* Reparación de equipos donde el transistor original es discontinuo
* Actualizaciones de eficiencia en diseños antiguos
* Prototipado de sistemas de alta confiabilidad
* Aplicaciones que requieren resistencia a avalancha
* Sistemas con restricciones de espacio (package compacto)
* Diseños que demandan mínimas pérdidas de conmutación

*VENTAJAS TÉCNICAS DIFERENCIALES*

* Resistencia ultra-baja RDS(on) para máxima eficiencia
* Conmutación rápida que minimiza pérdidas térmicas
* Capacidad de avalancha especificada para mayor robustez
* Corriente de fuga mínima (100 microamperios máximo)
* Amplio rango de temperatura operativa
* Compatibilidad con drivers estándar de gate

*EQUIVALENCIAS Y COMPATIBILIDAD*

Compatible como reemplazo directo de: 2SK4023, 2SK3766, 2SK3798, 2SK4003, 2SK4014, 2SK4106, 2SK3843, 2SK3799

*INCLUYE*
* 1x Transistor MOSFET 2SK3878

Ideal para técnicos que buscan componentes de calidad industrial con rendimiento comprobado en aplicaciones críticas de potencia.