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Fqp13n50c Fqp13n50 13n50 13n50c Fsc 13a A 220 500v Mosfet

El transistor 13N50C es un dispositivo de potencia utilizado en aplicaciones de alta corriente y voltaje. Algunas de sus principales características incluyen:

Tipo: Es un transistor de potencia MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de canal N. Esto significa que tiene un canal de conducción de electrones de tipo N y es controlado por un campo eléctrico.

Rango de potencia: El 13N50C puede manejar hasta 500 vatios de potencia en continua y hasta 1.2 kilovatios de potencia en pulsos.

Rango de voltaje: El transistor puede soportar hasta 500 voltios de diferencial de potencial entre el terminal de drenaje y el terminal de fuente.

Rango de corriente: El 13N50C puede soportar hasta 13 amperios de corriente en continuo y hasta 50 amperios de corriente en pulsos.

Dissipación de calor: El transistor tiene una capacidad de disipación de calor de hasta 100 grados Celsius, lo que significa que puede soportar altas temperaturas sin dañarse.

Montaje: El 13N50C se monta en un paquete de superficie plana para facilitar su instalación y para mejorar la transferencia de calor.

Aplicaciones: Este transistor se utiliza comúnmente en aplicaciones de alta potencia, como la alimentación de motores, la conversión de energía y el control de carga. También se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia, como los amplificadores de RF.

• Fabricante: Fairchild . Código: FQPF13N50C – Marking: FQPF 13N50C

• Descripción: Transistor Mosfet de Potencia canal N – Tensión Drain – Source: 500v – Tensión Gate. Source: +/-30v – Corriente de Drain: 13A – Corriente pulsada: 52A – Potencia: 48W – RDS(on) típico: 0,39 ohm – Tiempo de encendido típico: 25ns – Encapsulado: TO-220 Plástico

• Aplicaciones: – Fuentes de alimentación – Inverters – Balastos electrónicos – Monitor LCD / TV / Proyectores

Manufacturer: ON Semiconductor Product Category: MOSFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220FP-3 Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V Id – Continuous Drain Current: 13 A Rds On – Drain-Source Resistance: 540 mOhms Vgs – Gate-Source Voltage: 30 V Minimum Operating Temperature: – 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Configuration: Single Pd – Power Dissipation: 48 W Channel Mode: Enhancement Tradename: QFET Height: 16.07 mm Length: 10.36 mm Series: FQPF13N50CF Transistor Type: 1 N-Channel Type: MOSFET Width: 4.9 mm Brand: ON Semiconductor / Fairchild Forward Transconductance – Min: 15 S Fall Time: 100 ns Product Type: MOSFET Rise Time: 100 ns Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 130 ns Typical Turn-On Delay Time: 25 ns Unit Weight: 0.080072 oz

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