RJP30H2 RJP30H2A Panasonic Igbt Original A-263
Silicon N Channel IGBT High speed power switching Features
- Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
- Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
- High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
- Low leak current: ICES = 1 ¿A max
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