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Transistor Npn Bfg135 Amplificador Rf
BFG135 – Transistor de RF – Bipolar, NPN, 15 V, 7 GHz, 1 W, 150 mA, 130 hFE
El BFG135 es un transistor epitaxial planar de silicio NPN de 7GHz destinado a aplicaciones de amplificador de banda ancha. La estructura de emisor de pequeño tamaño, con resistencias integradas de balasto de emisor, garantizan alta capacidad para tensión de salida con un bajo nivel de distorsión. La distribución de las áreas activas a través de la superficie del dispositivo proporciona un excelente perfil de temperatura. Temperatura de unión de 175°C Aplicaciones Comunicaciones RF, Audio
Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 7GHz Disipación de Potencia Pd: 1W Corriente de Colector DC: 150mA Ganancia de Corriente DC hFE: 130hFE Encapsulado del Transistor RF: SOT-223 Número de Pines: 3Pines Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C Rango de Producto: – Estándar de Certificación para Automoción: – Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): –
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