Transistor MOSFET de Potencia IRFP064N
Dirigido a profesionales de la electrónica, ingenieros y empresas que exigen componentes de la más alta fiabilidad y rendimiento, el IRFP064N / IRFP064NPBF se presenta como la solución definitiva para aplicaciones de alta potencia y conmutación rápida. Este transistor MOSFET de Canal-N no es solo un componente; es una inversión en la robustez y eficiencia de sus proyectos, garantizando un rendimiento superior donde otros fallan. Integre la confianza de una tecnología probada, diseñada para superar los desafíos más exigentes del sector.
Especificaciones Técnicas Detalladas del IRFP064N / IRFP064NPBF:
Este dispositivo ha sido diseñado utilizando tecnología de proceso avanzada para ofrecer un rendimiento excepcional, caracterizado por una resistencia en estado de conducción ultra baja y una capacidad de conmutación veloz. Ideal para aplicaciones comerciales e industriales que demandan altos niveles de potencia.
- Tipo de Transistor: MOSFET de Potencia HEXFET de quinta generación, Canal-N.
- Tensión Drenador-Fuente (Vdss): 55 Voltios. Permite un amplio margen de seguridad en sus diseños.
- Corriente de Drenador Continua (Id):
- A Tc = 25 grados Celsius: 110 Amperios (con VGS @ 10V).
- A Tc = 100 grados Celsius: 80 Amperios (con VGS @ 10V).
- Corriente de Drenador Pulsada (Idm): Capaz de manejar picos de hasta 390 Amperios.
- Resistencia Estática Drenador-Fuente en Conducción (Rds(on) máx.): Excepcionalmente baja, 0.008 Ohmios (8 miliOhmios) a VGS = 10V, Id = 59A, minimizando las pérdidas de potencia y maximizando la eficiencia del sistema.
- Máxima Disipación de Potencia (Pd) @ Tc = 25 grados C: 200 Vatios.
- Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)): Rango de 2.0 a 4.0 Voltios para una activación precisa del dispositivo.
- Tensión Puerta-Fuente (Vgs máx.): ±20 Voltios.
- Temperatura de Operación de la Unión (Tj): Amplio rango operativo desde -55 hasta +175 grados Celsius, asegurando fiabilidad bajo condiciones extremas.
- Capacitancia de Entrada (Ciss): Típicamente 4000 picoFaradios (a VDS = 25V, f = 1.0MHz).
- Capacitancia de Salida (Coss): Típicamente 1300 picoFaradios (a VDS = 25V, f = 1.0MHz).
- Carga Total de Puerta (Qg máx.): 170 nanoCoulombs (a ID = 59A, VDS = 44V, VGS = 10V), facilitando una conmutación eficiente.
- Tiempo de Subida (tr): Rápido, típicamente 100 nanoSegundos, crucial para aplicaciones de alta frecuencia.
- Tiempo de Caída (tf): Típicamente 70 nanoSegundos.
- Clasificación Dinámica dv/dt: Alta robustez frente a variaciones rápidas de voltaje.
- Totalmente Calificado para Avalancha (Fully Avalanche Rated): Proporciona una mayor resistencia y fiabilidad del dispositivo en condiciones de sobrecarga.
- Encapsulado: TO-247AC, un estándar industrial preferido para aplicaciones de alta potencia donde los encapsulados más pequeños son insuficientes. Ofrece un orificio de montaje aislado, superior al antiguo TO-218.
- Tecnología de Proceso Avanzada: Resulta en una resistencia ultra baja por unidad de área de silicio.
- Optimizado para Aplicaciones de Conmutación <100kHz: Ofrece alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia.
15 Aplicaciones Estratégicas para el Transistor IRFP064N:
La versatilidad y robustez del IRFP064N lo convierten en un componente esencial para una amplia gama de aplicaciones profesionales y empresariales, donde la eficiencia y la durabilidad son críticas:
- Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS): Para lograr alta eficiencia y densidad de potencia en equipos industriales y de consumo.
- Convertidores DC-DC de Alta Potencia: Indispensable en sistemas de telecomunicaciones, servidores y equipos industriales que requieren conversión de energía eficiente.
- Controladores de Motores DC y Brushless: Proporciona un control preciso y potente para motores en robótica, vehículos eléctricos ligeros y maquinaria industrial.
- Inversores de Potencia y Solares: Clave en la fabricación de inversores para sistemas de energía renovable, UPS y sistemas de respaldo de energía.
- Sistemas de Gestión de Baterías (BMS): Utilizado en circuitos de protección y conmutación de alta corriente para bancos de baterías.
- Equipos de Soldadura Electrónica: Manejo eficiente de las altas corrientes requeridas en procesos de soldadura por arco o inducción.
- Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (SAI/UPS): Garantiza la fiabilidad y eficiencia en la conmutación de potencia crítica.
- Cargadores de Baterías Industriales y de Alta Capacidad: Para una carga rápida y controlada de baterías de gran formato.
- Interruptores de Carga (Load Switches) de Alta Corriente: Para conmutar cargas inductivas y resistivas pesadas con mínimas pérdidas.
- Sistemas de Iluminación Profesional de Alta Potencia: Como drivers eficientes para arrays de LEDs de alta luminosidad y sistemas de iluminación escénica o industrial.
- Balastros Electrónicos para Lámparas de Descarga: Mejora la eficiencia y vida útil en sistemas de iluminación especializados.
- Aplicaciones Automotrices de Alta Corriente: Adecuado para sistemas de control de potencia en vehículos, excluyendo aplicaciones de seguridad crítica a menos que se especifique lo contrario.
- Equipos de Prueba y Medición de Potencia: Donde se requiere conmutar o regular corrientes elevadas con precisión.
- Proyectos de Calentamiento por Inducción: Manejo de las altas frecuencias y corrientes necesarias en estos sistemas.
- Reparación y Mantenimiento de Equipos Electrónicos de Potencia: Un reemplazo robusto y fiable para una amplia gama de MOSFETs en equipos industriales y comerciales.
Al elegir el IRFP064N, usted está seleccionando un componente diseñado para la excelencia, capaz de entregar la potencia y la fiabilidad que sus proyectos más ambiciosos demandan. Asegure el éxito y la longevidad de sus desarrollos con la ingeniería de vanguardia.
